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日本 三菱 返回上一页
常年代理三菱 IGBT 模块 PM75LA1200-300G PM25RLA12O-300G PM150RLA1200-300G 库存 价格有竞争力
采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
封装兼容第五代A/NF系列模块
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
应用领域
适合中、低端变频器产品设计
采用第6代IGBT硅片技术，损耗低硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
封装兼容第五代A/NF系列模块